小信号和功率MOSFET-分立器件-英联产品-英联

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小信号和功率MOSFET

Product Family Table

Part Number

Description

Status

Channel

VDS(V)

VGS(V)

RDS(ON)@4.5V(Ω)

Qg@4.5V(nC)

ID Max.(A)

PD Max.(W)

VGS(th) Min.(V)

Pin/Package

EV Kit Available?

Datasheet

20V N沟道功率MOSFET,采用DFN3 1.0×0.6封装
采用SOT23-3封装的60V N沟道小信号MOSFET
采用SOT23-6封装的20V P沟道功率MOSFET
采用SOT323封装的20V P沟道功率MOSFET
采用SOT323封装的60V N沟道小信号MOSFET
采用SOT363封装的20V P沟道功率MOSFET
具有集成二极管的20V N沟道功率MOSFET，采用SOT23-3封装
具有集成二极管的20V N沟道功率MOSFET，采用SOT323封装
具有集成二极管的20V P沟道功率MOSFET，采用SOT23-3封装
具有集成二极管的20V P沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装
具有集成二极管的20V P沟道功率MOSFET，采用SOT323封装

ACTIVE

N
P

20
-20
60

12
20
8

0.052
0.09
0.11
0.16
0.2
1.7@5V

0
10.8
2.2
3.3

0.115
0.6
-1.1
-1.4
-1.5
1.6
2
-2
-2.8
-4

0.2
0.23
0.3
0.5
0.7
0.86
1

0.4
-0.4
0.5
1

3/DFN 1.0×0.6
3/SOT23
3/SOT323
3/SOT363
6/SOT23

N
Y

UM2301P

具有集成二极管的20V P沟道功率MOSFET，采用SOT323封装

ACTIVE

-20

0.2

-1.1

0.5

-0.4

3/SOT323

UM2301S

具有集成二极管的20V P沟道功率MOSFET，采用SOT23-3封装

ACTIVE

-20

0.2

-1.5

0.86

-0.4

3/SOT23

UM8517PP

采用SOT323封装的20V P沟道功率MOSFET

ACTIVE

-20

0.09

3.3

-1.4

0.3

-0.4

3/SOT323

UM2302P

具有集成二极管的20V N沟道功率MOSFET，采用SOT323封装

ACTIVE

0.09

1.6

0.5

0.4

3/SOT323

UM2302S

具有集成二极管的20V N沟道功率MOSFET，采用SOT23-3封装

ACTIVE

0.09

0.86

0.4

3/SOT23

UM2362P

采用SOT323封装的60V N沟道小信号MOSFET

ACTIVE

1.7@5V

0.115

0.2

3/SOT323

UM2362S

采用SOT23-3封装的60V N沟道小信号MOSFET

ACTIVE

1.7@5V

0.115

0.2

3/SOT23

UM8120DA

20V N沟道功率MOSFET,采用DFN3 1.0×0.6封装

ACTIVE

0.16

0.6

0.23

0.5

3/DFN 1.0×0.6

UM8515

采用SOT23-6封装的20V P沟道功率MOSFET

ACTIVE

-20

0.09

2.2

-2

0.7

-0.4

6/SOT23

UM8516

具有集成二极管的20V P沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装

ACTIVE

-20

0.052

10.8

-4

0.7

-0.4

6/SOT23

UM8517P6

采用SOT363封装的20V P沟道功率MOSFET

ACTIVE

-20

0.11

3.3

-2.8

-0.4

3/SOT363