UM2362
量产
量产数据表
主要参数
产品简介
产品特性
应用场景
引脚配置
订购信息
主要参数
Part Number
UM2362
Status
量产
Type
N-沟道
VDS (V)
60
VGS (V)
20
VGS_TH (V)
1
Rds(on) at VGS=2.5V (mΩ)
-
Rds(on) at VGS=4.5V (mΩ)
1700
ID-continuous drain current at TA=25℃ (A)
0.115
Power dissipation (W)
0.2
Operating Temperature Range (℃)
-40 to 85
Package
SOT323, SOT23-3
产品简介
UM2362 是一款低阈值N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高可靠性和稳定性，以及快速开关能力和高饱和电流。这一优势为设计师提供了适用于电池和负载管理应用的极高效器件。该器件采用节省空间、外形小巧的SOT23-3或SOT323封装。
产品特性
- 漏源电压（最大）：60V
- 低导通电阻：
-- 1.2Ω@VGS=10V
-- 1.7Ω@VGS=5V
- 持续漏极电流（最大）：115mA@25°C
应用场景
- 电池组
- 电池供电的便携式设备
- 手机和无线电话
引脚配置
订购信息
| 器件型号 | 封装类型 | 丝印编码 | 发货数量 |
|---|---|---|---|
| UM2362S | SOT23-3 | 10C | 3000pcs/7Inch Tape & Reel |
| UM2362P | SOT323 | VLB | 3000pcs/7Inch Tape & Reel |
