UM8120
量产
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主要参数
产品简介
产品特性
应用场景
引脚配置
订购信息
主要参数
Part Number
UM8120
Status
量产
Type
N-沟道
VDS (V)
20
VGS (V)
8
VGS_TH (V)
1.8
Rds(on) at VGS=2.5V (mΩ)
210
Rds(on) at VGS=4.5V (mΩ)
160
ID-continuous drain current at TA=25℃ (A)
0.6
Power dissipation (W)
0.23
Operating Temperature Range (℃)
-40 to 85
Package
DFN3 1.0x0.6
产品简介
UM8120DA 是一款低阈值N沟道 MOSFET，导通电阻极低。这一优势为设计师提供了适用于电池和负载管理应用的极高效器件。该器件采用节省空间、外形小巧的DFN3 1.0×0.6封装。
产品特性
- 漏源电压（最大）：20V
- 低导通电阻：
-- 160mΩ@VGS=4.5V,ID=0.6A
-- 210mΩ@VGS=2.5V,ID=0.3A
-- 270mΩ@VGS=1.8V,ID=0.2A
- 持续漏极电流（最大）：0.6A@25°C
应用场景
- 负载开关
- 电池组
- 电池供电的便携式设备
- 手机和无线电话
引脚配置
订购信息
| 器件型号 | 封装类型 | 丝印编码 | 发货数量 |
|---|---|---|---|
| UM8120DA | DFN3 1.0×0.6 | E8 | 10000pcs/7Inch Tape & Reel |
