样品申请
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UM8517PP
量产

主要参数
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应用场景
引脚配置
订购信息
主要参数
  • Part Number

    UM8517PP

  • Status

    量产

  • Type

    P-沟道

  • VDS (V)

    -20

  • VGS (V)

    -12

  • VGS_TH (V)

    -0.7

  • Rds(on) at VGS=2.5V (mΩ)

    130

  • Rds(on) at VGS=4.5V (mΩ)

    90

  • ID-continuous drain current at TA=25℃ (A)

    -1.4

  • Power dissipation (W)

    0.3

  • Operating Temperature Range (℃)

    -40 to 85

  • Package

    SOT323

  • 产品简介

    UM8517PP是低阈值P沟道MOSFET,具有极低的导通电阻。这一优势为设计师提供了适用于电池和负载管理应用的极高效器件。UM8517PP采用节省空间的小型SOT323封装。

    产品特性

    - 漏源电压(最大):-20V

    - 低导通电阻:

    -- 90mΩ@VGS=-4.5V

    -- 130mΩ@VGS=-2.5V

    - 持续漏极电流(最大):-1.4A@25°C

    应用场景

    - 电池组

    - 电池供电的便携式设备

    - 手机和无线电话

    引脚配置
    订购信息
    器件型号封装类型丝印编码发货数量
    UM8517PPSOT323VMB3000pcs/7Inch Tape & Reel