UM8517P6
量产
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主要参数
产品简介
产品特性
应用场景
引脚配置
订购信息
主要参数
Part Number
UM8517P6
Status
量产
Type
P-沟道
VDS (V)
-20
VGS (V)
-12
VGS_TH (V)
-0.7
Rds(on) at VGS=2.5V (mΩ)
130
Rds(on) at VGS=4.5V (mΩ)
110
ID-continuous drain current at TA=25℃ (A)
-2.8
Power dissipation (W)
1
Operating Temperature Range (℃)
-40 to 85
Package
SOT363
产品简介
UM8517P6 是低阈值P沟道MOSFET，具有极低的导通电阻。这一优势为设计师提供了适用于电池和负载管理应用的极高效器件。UM8517P6采用节省空间的小型SOT363封装。
产品特性
- 漏源电压（最大）：-20V
- 低导通电阻：
-- RDS(ON) <130mΩ @VGS=-4.5V, ID = -2.8A
-- RDS(ON) <150mΩ @VGS=-2.5V, ID = -2.0 A
- 持续漏极电流（最大）：-2.8A@25°C
应用场景
- 电池组
- 电池供电的便携式设备
- 手机和无线电话
引脚配置
订购信息
| 器件型号 | 封装类型 | 丝印编码 | 发货数量 |
|---|---|---|---|
| UM8517P6 | SOT363 | U6B | 3000pcs/7Inch Tape & Reel |
