UM2301P
量产
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主要参数
产品简介
产品特性
应用场景
引脚配置
订购信息
主要参数
Part Number
UM2301P
Status
量产
Type
P-沟道
VDS (V)
-20
VGS (V)
-8
VGS_TH (V)
-0.6
Rds(on) at VGS=2.5V (mΩ)
250
Rds(on) at VGS=4.5V (mΩ)
200
ID-continuous drain current at TA=25℃ (A)
-1.1
Power dissipation (W)
0.5
Operating Temperature Range (℃)
-40 to 85
Package
SOT323
产品简介
UM2301P 是一款低阈值 P 沟道 MOSFET，具有极低的导通电阻。这一优势为设计师提供了适用于电池和负载管理应用的极高效器件。该器件采用节省空间、外形小巧的SOT323。
产品特性
- 漏源电压（最大）：-20V
- 低导通电阻：
-- 200mΩ@VGS=-4.5V
-- 250mΩ@VGS=-2.5V
- 持续漏极电流（最大）：-1.1A@25°C
应用场景
- 电池组
- 电池供电的便携式设备
- 手机和无线电话
引脚配置
订购信息
| 器件型号 | 封装类型 | 丝印编码 | 发货数量 |
|---|---|---|---|
| UM2301P | SOT323 | VLD | 3000pcs/7Inch Tape & Reel |
