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UM2301S
量产

主要参数
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应用场景
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主要参数
  • Part Number

    UM2301S

  • Status

    量产

  • Type

    P-沟道

  • VDS (V)

    -20

  • VGS (V)

    -8

  • VGS_TH (V)

    -0.6

  • Rds(on) at VGS=2.5V (mΩ)

    250

  • Rds(on) at VGS=4.5V (mΩ)

    200

  • ID-continuous drain current at TA=25℃ (A)

    -1.5

  • Power dissipation (W)

    0.86

  • Operating Temperature Range (℃)

    -40 to 85

  • Package

    SOT23-3

  • 产品简介

    UM2301S 是一款低阈值 P 沟道 MOSFET,具有极低的导通电阻。这一优势为设计师提供了适用于电池和负载管理应用的极高效器件。该器件采用节省空间、外形小巧的SOT23-3。

    产品特性

    - 漏源电压(最大):-20V

    - 低导通电阻:

    -- 200mΩ@VGS=-4.5V

    -- 250mΩ@VGS=-2.5V

    - 持续漏极电流(最大):-1.5A@25°C

    应用场景

    - 电池组

    - 电池供电的便携式设备

    - 手机和无线电话

    引脚配置
    订购信息
    器件型号封装类型丝印编码发货数量
    UM2301SSOT23-310A3000pcs/7Inch Tape & Reel